RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
34
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2791
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link