RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
30
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3014
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link