RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
24
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.3
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
19.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
4215
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link