Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Gesamtnote
star star star star star
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

Unterschiede

Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    22 left arrow 24
    Rund um -9% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.4 left arrow 16
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.6 left arrow 12.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 19200
    Rund um 1.11 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    24 left arrow 22
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.0 left arrow 17.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 13.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2925 left arrow 3182
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche