Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Gesamtnote
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Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB

Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    24 left arrow 26
    Rund um 8% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16 left arrow 15.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 8.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 12800
    Rund um 1.5% höhere Bandbreite
Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB
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Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5594-003.A00LF 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    24 left arrow 26
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.0 left arrow 15.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 8.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2925 left arrow 1939
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