RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
57
Rund um 58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
25600
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2276
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link