RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
32
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.1
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2612
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link