RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
24
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
15.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3619
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99P5471-002.A00L 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link