RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
27
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.8
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2186
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link