RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
72
Rund um 58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
8.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2792
1817
Kingston 9905702-010.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link