Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Gesamtnote
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Unterschiede

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    27 left arrow 29
    Rund um 7% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.5 left arrow 8.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12 left arrow 11.9
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    27 left arrow 29
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.9 left arrow 12.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.5 left arrow 8.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1620 left arrow 2171
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