Confronto tra le RAM Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Punteggio complessivo

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

27 29

Intorno 7% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.5 8.1

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1620 2171

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns