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Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Vergleichen Sie
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Gesamtnote
Kingston K531R8-MIN 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
32
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
5.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
14900
12800
Rund um 1.16 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
28
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
5.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
14900
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2445
1409
Kingston K531R8-MIN 4GB RAM-Vergleiche
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Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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