RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Сравнить
Kingston K531R8-MIN 4GB против Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston K531R8-MIN 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston K531R8-MIN 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
8.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
5.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
14900
12800
Около 1.16 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
8.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
5.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
14900
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
1409
Kingston K531R8-MIN 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB Сравнения RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2 8GB
Kingston 99U5471-050.A00LF 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link