RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Vergleichen Sie
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Gesamtnote
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
41
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
12.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2852
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link