RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.2
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2852
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link