RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
69
Rund um 52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
69
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
1831
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link