RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
69
En 52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
69
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
1831
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link