Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Gesamtnote
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Gesamtnote
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    33 left arrow 43
    Rund um 23% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.8 left arrow 11.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 9.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 17000
    Rund um 1.51% höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    33 left arrow 43
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.8 left arrow 11.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 9.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    3285 left arrow 2532
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RAM 1
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