RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
74
Rund um 55% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
74
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
1616
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link