RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
74
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
74
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
1616
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link