RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
37
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
9.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
2611
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link