RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
37
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.6
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2611
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link