RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
37
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.6
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
2611
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
AMD AE34G2139U2 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kllisre 0000 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link