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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
56
Rund um 34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
4.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
7.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
4.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2395
1598
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
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Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
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