Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Gesamtnote
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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Unterschiede

  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 10600
    Rund um 2.01% höhere Bandbreite
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    48 left arrow 96
    Rund um -100% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    8.9 left arrow 6.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.9 left arrow 4.2
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    96 left arrow 48
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    6.8 left arrow 8.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    4.2 left arrow 5.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    992 left arrow 1420
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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