RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Comparez
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
96
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.9
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.9
4.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR3
Latence dans PassMark, ns
96
48
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
8.9
Vitesse d'écriture, GB/s
4.2
5.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
10600
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
992
1420
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link