RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
55
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
13.8
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2451
2701
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link