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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
55
Por volta de 31% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
9.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
55
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
13.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2451
2701
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Comparações de RAM
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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