RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
35
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
12.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
2974
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link