Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Gesamtnote
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Gesamtnote
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    35 left arrow 50
    Rund um 30% geringere Latenzzeit
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.3 left arrow 13.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.9 left arrow 9.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 12800
    Rund um 2 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    35 left arrow 50
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.7 left arrow 15.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 10.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2312 left arrow 2512
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RAM 1
RAM 2

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