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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
総合得点
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
50
周辺 30% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
15.3
13.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.9
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
50
読み出し速度、GB/s
13.7
15.3
書き込み速度、GB/秒
9.6
10.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2312
2512
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