Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Gesamtnote
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Gesamtnote
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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 41
    Rund um -32% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    20.5 left arrow 14
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    15.5 left arrow 9.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 12800
    Rund um 2 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    41 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.0 left arrow 20.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.2 left arrow 15.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2356 left arrow 3649
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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