RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
41
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
20.5
Скорость записи, Гб/сек
9.2
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2356
3649
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link