RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Gesamtnote
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
39
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
1,597.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,022.9
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,597.0
15.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
753
3491
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM-Vergleiche
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link