RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
27
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
3491
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link