PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB

Gesamtnote
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Gesamtnote
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB

Unterschiede

PNY Electronics PNY 2GB Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    26 left arrow 27
    Rund um -4% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.5 left arrow 13.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 8.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 10600
    Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    27 left arrow 26
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.8 left arrow 16.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 10.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2274 left arrow 3025
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche