RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
16.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3701
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link