RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
66
Rund um 59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
1699
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link