RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
25
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2337
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link