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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
25
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
16.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
21
Velocità di lettura, GB/s
16.1
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2337
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
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