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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Gesamtnote
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
76
Rund um 58% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
32
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
6.4
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2271
1624
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB RAM-Vergleiche
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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