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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Compara
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Puntuación global
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
76
En 58% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
9.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
32
76
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2271
1624
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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