RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
59
Rund um -136% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
13.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3377
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link