RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3377
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link