Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB vs SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Gesamtnote
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Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB

Gesamtnote
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Unterschiede

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    56 left arrow 60
    Rund um 7% geringere Latenzzeit
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    5 left arrow 4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,381.6 left arrow 1,760.2
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    56 left arrow 60
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,086.5 left arrow 5,082.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,760.2 left arrow 2,381.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    538 left arrow 925
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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