RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
58
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
15.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
3559
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link