RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
58
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
11.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
2686
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link