RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
58
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
19.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
13.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
3364
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link