RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
58
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
10.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
2795
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link