RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
58
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
11.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
2868
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link